Étude et optimisation d’une photodiode pour la télécommunication

Abstract

Ce travail porte sur la simulation de deux structures à base de semi-conducteurs III-V (InGaN/GaN et InAsSb/GaAs) pour une application de photo-détection. Il s’agit plus exactement d’évaluer l’influence de chacun de l’indium ‘In’ et l'ant imoine ‘Sb’ sur les différents paramètres de ces semi-conducteurs pour la conception d’une photodiode. Ce manuscrit comporte des généralités sur les S.C. III-V, ainsi que la simulation des deux structures mentionnées et la comparaison entre eux et leurs avantages.