Résumé:
Ce mémoire rend compte de l'étude de la diffusion du bore dans le silicium de type n à partir
d'une source de préforme pour la formation d'émetteurs p+. À l'aide d'un four à tube de quartz,
deux paramètres principaux sont étudiés, à savoir : la température d'entraînement et le temps
d'entraînement. On constate que l'épaisseur des couches de BSG telle que mesurée par la
microscopie électronique à balayage semble (MEB) augmenter avec l'augmentation de la
température de dépôt. La résistance de feuille telle que mesurée par la méthode de sonde à quatre
points (4-pp) diminue à mesure que la température d'entraînement augmente, de même, elle
diminue à mesure que le temps d'entraînement augmente. Informations moléculaires et nature
chimique du BSG analysées par spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier FT-IR). Les
profils de dopants au bore électriquement actifs tels que mesurés par la technique électrochimique
de capacité de tension (ECV) présentent des concentrations de surface inférieures à la limite de
solubilité solide du bore dans le silicium pour tous les émetteurs étudiés. De plus, il est révélé à
partir des mesures de spectroscopie de masse d'ions secondaires (SIMS) la présence de la couche
riche en bore (BRL) à sa surface
