Investigation des profils de dopage du bore dans le Silicium de type n obtenus par simulation

Belkada, Feriel

dc.contributor.author	Belkada, Feriel
dc.date.accessioned	2022-02-07T10:06:27Z
dc.date.available	2022-02-07T10:06:27Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/14117
dc.description	4.333.1.219 ; 88 p	fr_FR
dc.description.abstract	Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Silicium semble prometteur. Dans ce travail de modélisation et de simulation, nous utilisons le logiciel EDNA 2, pour étudier les performances des cellules solaires à base de Silicium. Nous évaluons dans un premier temps, les différentes étapes de dopage de Bore pour une structure typique de jonction N. Par la suite nous nous intéressons à la concentration et à profondeur pour étudier l’influence de celles-ci sur les caractéristiques externes de la structure	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	Silicium, type n, émetteur, diffusion du Bore, courant de saturation, EDNA 2	fr_FR
dc.title	Investigation des profils de dopage du bore dans le Silicium de type n obtenus par simulation	fr_FR