ETUDE DE L’EFFET DE LA COUCHE ANTIREFLET TCO SUR LES CELLULES SOLAIRES A BASE DE SILICIUM ETUDE DE L’EFFET DE LA COUCHE ANTIREFLET TCO SUR LES CELLULES SOLAIRES A BASE DE SILICIUM ETUDE DE L’EFFET DE LA COUCHE ANTIREFLET TCO SUR LES CELLULES

Abstract

Le travail de ce mémoire est une étude par simulation numérique afin d’optimiser les paramètres d’une cellule solaire a hétérojonction du type oxyde transparent conducteur/µc-Si : H(n)/c-Si(p) en utilisant la simulation numérique avec logiciel SCAPS. Nous avons analysé l’influence de l’épaisseur et le dopage du TCO sur la performance de la cellule solaire. Les résultats acquis en simulation montrent que ce type des cellules solaires (sans contact) peut avoir un bon rendement théorique lorsque les paramètres du TCO sont bien choisis. En effet, une épaisseur du ZnO de 0.08 µm et un dopage de N D =10 20 la cellule ZnO/ µc-Si : H(n)/c-Si(p) permet a ces cellules atteindre un rendement de l’ordre de 18.10% .Et une épaisseur de ITO de 0.08 µm un dopage de N D =10 20 pour le ITO lorsqu’il s’agit des cellules ITO/ µc-Si : H(n)/c-Si(p) peuvent atteindre un rendement de 17%. Compte tenu de ces résultats, les cellules solaires a hétérojonction du type ZnO et ITO/ µc-Si : H(n)/c-Si(p) présente un bon compromis entre le rendement de conversion et la transparence optique.