Résumé:
Dans ce travail, nous avons étudié un modèle non-linéaire du transistor
d’Angelov utiles pour des applications en hyperfréquences. Ce modèle reproduit,
de manière très précise, les caractéristiques hyperfréquences des transistors
HEMT en régime grand-signal. Le modèle a été validé à travers des mesures
grand-signal. L’extraction des paramètres du modèle est très rapide et son
implémentation dans un simulateur de circuits est très simple. Ce modèle de
transistor nous a permis de concevoir, un amplificateur à faible bruit et trois
amplificateurs distribués uni-étage.