Résumé:
Dans ce mémoire de master, nous nous intéressons à la simulation et la modélisation
d’une nouvelle cellule solaire à base de nanofil GaAsP / GaAs pour le photovoltaïque. Le
matériau GaAsP est un alliage ternaire semiconducteur III-V. Avec la richesse de sa
structure électronique et autre propriétés, il a trouvé une large application dans les
dispositifs optiques et électroniques. D’abord, nous avons étudié l’influence de la
concentration de phosphore sur les différents
paramètres de la cellule solaire. Ensuite nous
avons étudié l’effet d’insertion de puits quantiques dans une structure de nanofil pour
différents paramètres caractéristiques de la cellule et l’effet de température à différents
puits quantiques pour différents paramètres caractéristiques de la cellule.
Mots clés : Nanofil, semiconducteur, photovoltaïque. In this master thesis, we are interested in the simulation and modeling of a new GaAsP /
GaAs nanowire solar cell for photovoltaic. The GaAsP material is a ternary III-V
semiconductor alloy. With the wealth of its electronic structure and other properties, it has
found wide application in optical and electronic devices. First, we studied the influence of
phosphorus concentration on the different parameters of the solar cell. Then we studied the
insertion effect of quantum wells in a nanowires structure for different parameters
characteristic of the cell and the effect of temperature at different quantum wells for
different characteristic parameters of the cell.
Key words: Nanowires, semiconductor, photovoltaic.
