Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/15537
Titre: Modélisation et simulation, à l’échelle atomique de la croissance cristalline homoépitaxique de quatre couches atomiques de Ga As/Ga As(100)
Autre(s) titre(s): Etude de la diffusion inter et intra-couches
Auteur(s): Mraoufel, Ahleme
Date de publication: 2002
Editeur: Univ.Blida 1
Résumé: Le développement de la microélectronique, dans la course vers la réduction des dimensions, ouvre la voie à de nouveaux axes de recherche, à tous les niveaux, de l'expérimentation, de la modélisation. Cette réduction des dimensions inhérente à l'accroissement de complexité, rend nécessaire l'analyse microscopique des phénomènes qui limitent les performances électriques et la fiabilité des réalisations : formation des défauts, diffusion anormale, contraintes…Toutes les opérations fondamentales : oxydation, diffusion, implantation, recuit… sont concernées. Pour notre part, nous nous intéressons dans ce mémoire à la modélisation et à la simulation de la croissance cristalline. Nous tenterons de montrer que la simulation peut être un outil très efficace pour la compréhension des phénomènes nouveaux liés à la complexité croissante et à la taille de plus en plus petite des dispositifs électroniques et pour la prévision de leurs performances.
Description: Bibliogr.
URI/URL: http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/15537
Collection(s) :Thèse de Magister

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
32-530-160-1.pdfThèse de Magister10,59 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.