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https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/15537
Titre: | Modélisation et simulation, à l’échelle atomique de la croissance cristalline homoépitaxique de quatre couches atomiques de Ga As/Ga As(100) |
Autre(s) titre(s): | Etude de la diffusion inter et intra-couches |
Auteur(s): | Mraoufel, Ahleme |
Date de publication: | 2002 |
Editeur: | Univ.Blida 1 |
Résumé: | Le développement de la microélectronique, dans la course vers la réduction des dimensions, ouvre la voie à de nouveaux axes de recherche, à tous les niveaux, de l'expérimentation, de la modélisation. Cette réduction des dimensions inhérente à l'accroissement de complexité, rend nécessaire l'analyse microscopique des phénomènes qui limitent les performances électriques et la fiabilité des réalisations : formation des défauts, diffusion anormale, contraintes…Toutes les opérations fondamentales : oxydation, diffusion, implantation, recuit… sont concernées. Pour notre part, nous nous intéressons dans ce mémoire à la modélisation et à la simulation de la croissance cristalline. Nous tenterons de montrer que la simulation peut être un outil très efficace pour la compréhension des phénomènes nouveaux liés à la complexité croissante et à la taille de plus en plus petite des dispositifs électroniques et pour la prévision de leurs performances. |
Description: | Bibliogr. |
URI/URL: | http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/15537 |
Collection(s) : | Thèse de Magister |
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Fichier | Description | Taille | Format | |
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32-530-160-1.pdf | Thèse de Magister | 10,59 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
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