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dc.contributor.author |
OUBADJI, Mustapha |
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dc.contributor.author |
MERZOUG, YOUCEF |
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dc.date.accessioned |
2021-02-28T10:13:13Z |
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dc.date.available |
2021-02-28T10:13:13Z |
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dc.date.issued |
2020 |
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dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/10182 |
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dc.description |
4.621.1.838 ;50 p ;illustré |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Ce travail se concentre sur l’étude et la simulation d’une heterojonction
composé d’un mélange des semi-conducteurs de la famille III-V et celles des Zn-VIN2.l’InGaN/ZnSnN2/InGaN
est notre sujet. Nous voulons arriver à des résultats
comparable à celle d’une heterojonction composé des ternaire de semi- conducteurs
de la famille des III-V. Une simulation est réalisé pour détecter l’effet de la variation de
la concentration de l’indium sur le paramètre de maille et le gap et l’influence due à la
variation la largeur du puits quantique à des concentrations variables ; ce qui a déduit
une longueur d’onde émise maximale de 0.6650 μm. |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.subject |
ZnSnN 2 ; hétéro-structure ; puits quantiques. |
fr_FR |
dc.title |
ETUDE D’UN PUITS QUANTIQUE A BASE D’InGaN/ZnSnN 2 /InGaN POUR LE LASER A SEMI- CONDUCTEUR |
fr_FR |
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