Simulation numérique de l’effet de l’épaisseur de la couche du canal sur un transistor TFT a-IGZO

Labdaoui, Salim; Sayah, Walid

dc.contributor.author	Labdaoui, Salim
dc.contributor.author	Sayah, Walid
dc.date.accessioned	2021-04-28T08:20:38Z
dc.date.available	2021-04-28T08:20:38Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/11351
dc.description	621.940 ; 78 p	fr_FR
dc.description.abstract	L’oxyde d’indium de gallium et de zinc (IGZO) est un oxyde semi-conducteur qui est de plus en plus utilisé dans la fabrication des transistors en couches minces (TF) en raison de ses caractéristiques spécifiques, telles que la grande mobilité et la transparence. Dans ce travail, nous avons utilisé la simulation numérique par le programme ATLAS SILVACO afin de déterminer dans quelle mesure l’épaisseur du canal affecte les performances et l’efficacité du transistor. Quatre épaisseurs de 5, 10, 15 et 20 nm ont été étudiées	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	a-IGZO, Transistor à couche couches mince (TFT), Simulation (SILVACO /ATLAS)	fr_FR
dc.title	Simulation numérique de l’effet de l’épaisseur de la couche du canal sur un transistor TFT a-IGZO	fr_FR