Modélisation de la température pour les composants actifs radio fréquence

Fitas, Abdelaziz; Louaked, Ilyes

dc.contributor.author	Fitas, Abdelaziz
dc.contributor.author	Louaked, Ilyes
dc.date.accessioned	2021-04-29T09:43:43Z
dc.date.available	2021-04-29T09:43:43Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/11361
dc.description	621.948 ; 86 p	fr_FR
dc.description.abstract	otre travail s’est orienté dans le cadre d’une recherche de l’effet thermique sur le comportement de transistor de puissance HEMT AL-GAN/GAN car leurs performances et leur fiabilité dépendent directement de leurs températures de fonctionnement .ce dernier est très prometteur pour les applications haute puissance à hautes fréquences. Ce travail est fait par une conception assistée par ordinateur (CAO) laquelle est essentiel pour refléter la réalité avec l'augmentation du niveau de puissance et de la température du cana	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	l’effet thermique; transistor HEMT; AL-GAN/GAN; conception assistée par ordinateur CAO	fr_FR
dc.title	Modélisation de la température pour les composants actifs radio fréquence	fr_FR