Résumé:
A l'heure actuelle, les transistors à hétérostructures HEMT (High Electron Mobility Transistor)
à base de nitrure type AlGaN/GaN apparaissent comme les meilleurs candidats pour les
applications hyperfréquences, de puissance, et haut température. Les avantages intrinsèques de
ces transistors résident dans une tension de claquage et une vitesse de saturation élevée, une
grande linéarité, une bonne stabilité à haute température, une grande stabilité chimique.
L'objectif de ce projet de fin d'études est de présenté une étude détaillée sur le fonctionnement
du transistor HEMT en GaN afin de simuler les caractéristiques statiques de l'hétérostructure
AIGaN/GaN. Nous avons examiné l'influence de certains paramètres technologiques qui
impactent les performances du transistor tels que les pièges du drain (Deep trap) et de la grille
(Surface trap). Ce travail a été réalisé à l'aide du logiciel "ADS" de la société Keysight
