Etude et simulation des structures à base de   GaInAlSb/GaInSb et GaInAsSb/GaInSb pour le photovoltaïque

Djebbour, M.Yacine

dc.contributor.author	Djebbour, M.Yacine
dc.date.accessioned	2019-10-22T08:26:07Z
dc.date.available	2019-10-22T08:26:07Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1207
dc.description	4.621.1.117 ; 84 p 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail porte sur la modélisation et la simulation d’une structure à base de semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la concentration d’indium sur les différents paramètres de l’alliage GaInAlSb et GaInAsSb épitaxie sur substrat de GaInSb. En effet l’augmentation de la densité d’indium diminue le gap de l’alliage, ce qui est très intéressant pour absorber le maximum de spectre solaire. L’étude comprend des graphes donnant les variations des différents facteurs influant sur le rendement de conversion en fonction de la concentration d’indium et de l’épaisseur de la couche des semi-conducteurs. La structure la plus appropriée pour ce travail est GaInSb/GaInAlSb car elle possède un meilleur rendement	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	simulation des structures	fr_FR
dc.title	Etude et simulation des structures à base de GaInAlSb/GaInSb et GaInAsSb/GaInSb pour le photovoltaïque	fr_FR