Etude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux InGaAs/InP

El Mechri, Naima; Longou, Ghania Asma

dc.contributor.author	El Mechri, Naima
dc.contributor.author	Longou, Ghania Asma
dc.date.accessioned	2021-09-30T08:35:17Z
dc.date.available	2021-09-30T08:35:17Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/12102
dc.description	621.995 ; 48 p	fr_FR
dc.description.abstract	La transmission optique à très haut débit, nécessite le développement de récepteurs de très hautes performances. Ce travail porte sur l’étude, la simulation et l’optimisation d’une photodiode ultra-rapide à base d’un composé ternaire de semiconducteurs III-V de l’épitaxie InGaAs sur le substrat InP. Nous avons optimisé l’impact de la concentration d’indium sur les différentes paramètres électriques et optiques de l’alliage InGaAs/InP, à l’aide d’un logiciel de simulation qui est Matlab, ainsi que la capacité et la fréquence de coupure d’un photodétecteur	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	Photodiode, substrat, épitaxie, Semi-conducteur III-V, Capacité, Fréquence de coupure, photodétecteu	fr_FR
dc.title	Etude, Simulation et Optimisation d’une photodiode ultra rapide à base des nouveaux Matériaux InGaAs/InP	fr_FR