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dc.contributor.author |
Boukhari, Hamza |
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dc.contributor.author |
Khaled, Abdelhakim |
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dc.date.accessioned |
2021-11-07T07:58:14Z |
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dc.date.available |
2021-11-07T07:58:14Z |
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dc.date.issued |
2021 |
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dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/12762 |
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dc.description |
621.1041 ; 71 p |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Depuis plus de 30 ans, l'industrie des semi-conducteurs est Connu pour la rapidité de
production des composants de nouvelle génération ,Toujours de plus en plus efficace.
Depuis 1970, cette évolution a été décrite La loi de Gordon Moore, qui stipule le double du
nombre Les composants de chaque circuit tous les dix-huit mois. Augmentation de la
densité d'intégration et de la vitesse du circuit L'augmentation continue a conduit à la
réalisation de dispositifs submicroniques et L'émergence de limites physiques intrinsèques.
C'est pourquoi, grand Des laboratoires de recherche du monde entier s'unissent Feuille de
route internationale sur la technologie des semi-conducteurs (ITRS) identifier les principaux
défis techniques |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
Univ Blida1 |
fr_FR |
dc.title |
Influence des paramètres géométriques sur les paramètres des transistors MOS |
fr_FR |
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