Etude et simulation d’une structure photovoltaïque à base de  semiconducteurs II-VI (CdZnTe)

BENAMAROUCHE, Aïda

dc.contributor.author	BENAMAROUCHE, Aïda
dc.date.accessioned	2022-04-21T09:47:54Z
dc.date.available	2022-04-21T09:47:54Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/15603
dc.description	4.621.1.101 ; 95p	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail porte sur l’étude et la simulation d’une structure à base de semi-conducteurs II-VI pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié l’influence de la concentration de Zinc sur les différents paramètres de l’alliage épitaxié sur substrat de . En effet l’augmentation de la densité de Zinc fait croitre le Gap de l’alliage, ce qui n’est pas intéressant pour absorber le maximum du spectre solaire, mais pour des faibles concentrations de Zinc ce matériau ternaire devient important dans le domaine photovoltaïque.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	blida1	fr_FR
dc.subject	semi-conducteurs, photovoltaïque, absorption, Gap.	fr_FR
dc.title	Etude et simulation d’une structure photovoltaïque à base de semiconducteurs II-VI (CdZnTe)	fr_FR