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dc.contributor.author |
Kardienne, Mazen |
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dc.contributor.author |
Khemiche, Ayoub |
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dc.date.accessioned |
2022-05-18T07:35:28Z |
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dc.date.available |
2022-05-18T07:35:28Z |
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dc.date.issued |
2021 |
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dc.identifier.uri |
https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046 |
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dc.description |
621.1101 ; 61 p |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Depuis les années 1950, le transistor à effet de champ, en tant que brique de base des
circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie du semi-conducteur. Son architecture et
son principe de fonctionnement sont restés pratiquement inchangés à ce jour, mais ses
dimensions physiques n’ont cessé de décroître. Cependant, depuis le début des années 2000,
la réduction de la taille des composants ne suffit plus à garantir de meilleures performances
tout en réduisant le coût de fabrication. L’industrie des semi- conducteurs est dans une
période clef de son essor, passant du monde de la microélectronique |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
Univ Blida1 |
fr_FR |
dc.title |
Simulation du transistor JFET |
fr_FR |
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