Université Blida 1

Simulation du transistor JFET

Afficher la notice abrégée

dc.contributor.author Kardienne, Mazen
dc.contributor.author Khemiche, Ayoub
dc.date.accessioned 2022-05-18T07:35:28Z
dc.date.available 2022-05-18T07:35:28Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.uri https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046
dc.description 621.1101 ; 61 p fr_FR
dc.description.abstract Depuis les années 1950, le transistor à effet de champ, en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie du semi-conducteur. Son architecture et son principe de fonctionnement sont restés pratiquement inchangés à ce jour, mais ses dimensions physiques n’ont cessé de décroître. Cependant, depuis le début des années 2000, la réduction de la taille des composants ne suffit plus à garantir de meilleures performances tout en réduisant le coût de fabrication. L’industrie des semi- conducteurs est dans une période clef de son essor, passant du monde de la microélectronique fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher Univ Blida1 fr_FR
dc.title Simulation du transistor JFET fr_FR


Fichier(s) constituant ce document

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée

Chercher dans le dépôt


Recherche avancée

Parcourir

Mon compte