Etude et simulation  d’une structure à base de GaInP/GaInAs/Ge pour le  photovoltaïque

Bouakkaza, Hayet; Hadjallah, Fatima Zohra

dc.contributor.author	Bouakkaza, Hayet
dc.contributor.author	Hadjallah, Fatima Zohra
dc.date.accessioned	2019-10-29T09:16:08Z
dc.date.available	2019-10-29T09:16:08Z
dc.date.issued	2013
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1756
dc.description	4.621.1.207 ; 70 p illustré ; 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail porte sur la simulation d’une structure à base des semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la concentration d’indium sur les différents paramètres de l’alliage GaInAs et GaInP épitaxie sur substrat de Ge. En effet l’augmentation de la densité d’indium diminue le gap de l’alliage, ce qui est très intéressant pour absorber le maximum de spectre solaire. L’étude porte sur l’impact de la concentration d’indium sur les alliages Ga(1-x)InxP et Ga(1y)InyAs qui constituent notre cellule à double hétérojonction afin de déterminer leurs caractéristiques physiques et électriques et optimiser les concentrations d’indium de 74% qui donnent un rendement maximal de 30% de conversion photovoltaïque.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	photovoltaïque, rendement, semi-conducteur	fr_FR
dc.title	Etude et simulation d’une structure à base de GaInP/GaInAs/Ge pour le photovoltaïque	fr_FR