Abstract:
L’énergie du spectre solaire s’étend de 5.0 eV à 5.0 eV, un spectre trop large pour être
exploité par un seul semi-conducteur, l’idée donc est d’utiliser un alliage composée de
quatre éléments chimiques à des gaps différents afin d’absorber le maximum du spectre
solaire. Ce travail porte sur l’étude et simulation d’une structure à base de semi-conducteur
pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la
concentration d’indium sur les différents paramètres de l’alliage GaInAsSb épitaxie sur
substrat de Si. En effet l’augmentation de l’incorporation d’indium diminue le gap ce qui est
très intéressent pour absorber le maximum de spectre solaire. L’incorporation d’une faible
composition d’antimoine provoque un éclatement de la bande de valence en deux sous
bandes sous l’effet de cet éclatement il y a une réduction du gap d’où on obtient une
augmentation du rendement finale jusqu’au 29.55% pour une concentration de 40%
d’indium et 25% d’antimoine
