étude et simulation d'une structure à base des semi-conducteurs SiGe  pour application photovoltaïque

BOUZOUIDJA, AHMED OUSSAMA; BENAMAROUCH, ABDENOUR

dc.contributor.author	BOUZOUIDJA, AHMED OUSSAMA
dc.contributor.author	BENAMAROUCH, ABDENOUR
dc.date.accessioned	2019-11-04T12:05:08Z
dc.date.available	2019-11-04T12:05:08Z
dc.date.issued	2016
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/2002
dc.description	4.621.1.425 ; 46 p 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail porte sur l’étude et la simulation d’une structure à base de semiconducteurs Si et Ge pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié l’influence de la concentration du Ge sur les différents paramètres de l’alliage SiGe épitaxié sur substrat de Si. En effet l’augmentation de la densité du Ge diminué le Gap de l’alliage SiGe ce qui est intéressant pour absorber le maximum du spectre solaire, ce qui fait que ce matériau devient important dans le domaine photovoltaïque.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	U.Blida1	fr_FR
dc.subject	application photovoltaïque.	fr_FR
dc.title	étude et simulation d'une structure à base des semi-conducteurs SiGe pour application photovoltaïque	fr_FR