Résumé:
Dans ce travail nous sommes intéressés à l’étude par la simulation d’un dispositif semiconducteur
de
type
diode
a
jonction
p-n
afin
d’observer
l’influence
des
anneaux
de
garde
sur
les
performances de cette jonction. Cette dernière présente des caractéristiques
importantes notamment sa tension de claquage, cette dernière sera grande lors de l’ajout
d’un anneau de garde à cette jonction, d’où l’amélioration de la tension de claquage dépend
des anneaux de garde. Nous avons également étudié les différents paramètres caractérisant
la jonction p-n avec anneau de garde qui nous ont servi à préciser le nombre et le
positionnement de ce dernie