Résumé:
Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l’étude et la simulation d’une
structure à base de GaSbN/GaSb. Cet alliage ternaire qui est un semi-conducteur III-V
présente des caractéristiques importantes notamment son énergie de gap qui diminue
d’une manière drastique du à l’incorporation d’Azote dans le GaSb, d’où l’amélioration
de l’absorption des photons ayant des longueurs d’ondes proche du rouge.
Mots clés : Semi-conducteur, Azote, Puits quantique, Longueur d’onde.