Université Blida 1

Etude et calcule le gain optique d’une structure à puits quantique à base d’InGaN/GaN

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dc.contributor.author Salma, Mustapha
dc.contributor.author Zmite, mohamed
dc.date.accessioned 2019-11-05T09:07:31Z
dc.date.available 2019-11-05T09:07:31Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.uri http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2068
dc.description 4.621.1.238 ; 99 p 30 cm fr_FR
dc.description.abstract On différencie trois types de matériaux : les isolants, les conducteurs et les semiconducteurs. Ceux-ci sont intermédiaires entre les métaux et les isolants : à T=0K un semiconducteur se comporte comme un isolant. Néanmoins, il conduit l’électricité dès que la température augmente. La résistivité des semi-conducteurs varie entre 10 Ω. cm, alors que celle des métaux est de l’ordre de 10 -3 Ω. cm et 10 -9 Ω. cm et celle des isolants peut atteindre 10 -6 Ω.cm. Dans un semi-conducteur il existe deux types de conductions : la conduction par électron et la conduction par trou. Lorsque dans un cristal certaines liaisons entre atomes se cassent, les électrons sont libres de se déplacer, l’emplacement de liaison cassée est appelé trou. Sous l’effet du champ électrique les électrons se déplacent dans le sens inverse du champ et les trous se déplacent dans le sens de cham fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher Univ Blida1 fr_FR
dc.subject puits quantique;InGaN/GaN fr_FR
dc.title Etude et calcule le gain optique d’une structure à puits quantique à base d’InGaN/GaN fr_FR


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