Résumé:
Ce travail porte sur l’étude d’une structure laser à base d’un puits quantique et
composé d'une zone active sur le substrat GaBiN/GaBi, en vue de l’obtention d’une
longueur d’onde 1.55 µm. Cet alliage ternaire qui est un semi-conducteur III-V
présente des caractéristiques importantes. D’une manière drastique due à
l’incorporation de l’azote dans le substrat GaBi. Nous avons étudié l'effet de l’azote
sur la contrainte, la structure de bande, l’énergie de transi tion, l’énergie de
quantification et nous avons calculé la longueur d'onde en fonction de la largeur du
puits à la zone actif ainsi que la concentration de l’azote.
Mots clés : Semi-conducteur, Azote, Zone active, Puits quantique, Longueur d’onde.