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dc.contributor.author |
Kerkar, Mohamed Amine |
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dc.contributor.author |
Reggaz, Reggaz Hamza |
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dc.date.accessioned |
2019-11-06T06:50:56Z |
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dc.date.available |
2019-11-06T06:50:56Z |
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dc.date.issued |
2015 |
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dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2104 |
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dc.description |
4.621.1.334 ; 105 p ; 30 cm |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l’étude et la simulation d’une structure
à base de GaAsNP/GaP pour le puits quantique. Cet alliage quaternaire qui est un
semiconducteur III-V présente des caractéristiques importantes notamment son énergie de
gap qui diminue d’une manière drastique du à l’incorporation d’azote et du phosphore dans
le GaAs, d’où l’amélioration de l’absorption des photons ayant des longueurs d’ondes proche
du rouge. Nous avons également étudié les différents paramètres caractérisant le puits
quantique qui nous a servi à simuler les niveaux d’energie de quantification et la longueur
d’onde. |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
Univ Blida1 |
fr_FR |
dc.subject |
puits quantique; Semiconducteur; energie de quantification;langeur d’ond |
fr_FR |
dc.title |
Etude et simulation d’une structure à puits quantique à base de GaAsNP |
fr_FR |
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