Résumé:
Dans ce travail, nous avons concentré notre attention sur l'étude et la simulation de la
structure InGaAs / GaAs de l'émission infrarouge. Ce mélange ternaire, qui est un composé
de semi-vecteurs III-V, a des caractéristiques très importantes, notamment l'énergie de son
gap, qui décroît constamment avec l'augmentation de la concentration en indium.
Nous avons également étudié les différents facteurs liés au laser, que nous avons utilisé
pour calculer la longueur d'onde émise par un puits et les points quantiques que nous avons
trouvés à différentes concentrations d'indium (In
0.30
Ga
0.70
As et In
0.38
Ga
0.62
As) pour le puits
et (In
0.50
Ga
0.50
As) Pour un point.
Mots clés : laser, puits quantique, points quantiques, longueur d'onde d’émission.