Afficher la notice abrégée
dc.contributor.author |
HAOULI, Alaeddine Rafik |
|
dc.contributor.author |
KEBOUCHI, Melissa Amaria |
|
dc.date.accessioned |
2019-11-12T09:42:19Z |
|
dc.date.available |
2019-11-12T09:42:19Z |
|
dc.date.issued |
2018 |
|
dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2667 |
|
dc.description |
4.621.1.671 ; 61 p
illustré ;30 cm |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Cette recherche se base sur l’utilisation de matériaux III-V pour la réalisation d’un laserà base de puits quantique. Il s’agit plus particulièrement d’une étudeoptoélectronique.
En premier lieu on va définir les propriétés physique et optique des matériaux (Indium,Gallium, Arsenic et Antimoine) pour en faire un alliage quaternaire d’une structure apuits quantique. En deuxième lieu on va étudier l’effet de l’incorporation d’une faibleconcentration d’Arsenic dans l’alliage quaternaire InGaAsSb. En dernier on va réalisernotre structure d’émission pour atteindre la longueur d’onde d’émission souhaitéexploitable dans les fibres optiques 1.55 μm.
Mots clés : Laser ; puits quantiques ; optoélectronique ; InGaAsSb ; GaAs ; AlSb |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
U.Blida1 |
fr_FR |
dc.subject |
Laser ; puits quantiques ; optoélectronique ; InGaAsSb ; GaAs ; AlSb |
fr_FR |
dc.title |
ETUDE ET SIMULATION D’UNE STRUCTURE A PUITS QUANTIQUE A BASE DE « InGaAsSb/GaAs » & « InGaAsSb/AlSb » POUR LE LASER |
fr_FR |
Fichier(s) constituant ce document
Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)
Afficher la notice abrégée