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dc.contributor.author |
Brahimi, Chakib |
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dc.contributor.author |
Benlemdjaldi, Moussa |
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dc.date.accessioned |
2019-11-13T08:41:16Z |
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dc.date.available |
2019-11-13T08:41:16Z |
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dc.date.issued |
2018 |
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dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2785 |
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dc.description |
4.621.1.565 ; 87 p illustré |
fr_FR |
dc.description.abstract |
L’objectif principal de ce travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode
Schottky à base AlGaAs que sont obtenus après la simulation assisté par logiciel
" SILVACO" .Pour bien comprendre le comportement de cette diode et son principe
de fonctionnement et les phénomènes participant dans la conductivité du courant dans
ce dernier, on a fait un partie théorique contient des généralités et des notions du base
sur les semi-conducteurs en générale et ce type de composants spécialement. La
simulation nous a permis d’étudier l’influence des défauts et d’autres paramètres sur
les caractéristiques électriques tels que I-V and C-V |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
Univ Blida1 |
fr_FR |
dc.subject |
Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs |
fr_FR |
dc.subject |
Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs |
fr_FR |
dc.title |
Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs |
fr_FR |
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