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dc.contributor.author |
Fettoumi, Mouloud |
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dc.contributor.author |
Khoukhi, Karim |
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dc.date.accessioned |
2019-11-13T09:15:11Z |
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dc.date.available |
2019-11-13T09:15:11Z |
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dc.date.issued |
2018 |
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dc.identifier.uri |
http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2796 |
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dc.description |
4.621.1.570 ; 72 p ; illustré |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Le MOSFET à grille enrobée cylindrique (GAA) est une invention radicale et
un candidat potentiel pour remplacer le MOSFET conventionnel, car il introduit une
nouvelle direction pour la mise à l'échelle des transistors. Dans ce travail, la sensibilité
des paramètres de processus tels que la longueur du canal (LG), l'épaisseur du canal
(W) et le travail de sortie de grille (φM) sur les performances du transistor sont
systématiquement analysées. Les caractéristiques électriques telles que la tension de
seuil (Vth) et la transconductance (gm) sont évaluées et étudiées avec la variation des
paramètres de conception du dispositif. Cette étude a été effectuée en utilisant le
logiciel COMSOL |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
Univ Blida1 |
fr_FR |
dc.subject |
Transistor MOSFET ; Grille enrobée cylindrique ; Tension de seuil |
fr_FR |
dc.title |
Étude et simulation d’un transistor nanométrique à grille enrobée cylindrique GAA MOSFET |
fr_FR |
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