Ouahib, Ismaël; Mensouri, Mesbah
(Univ Blida1, 2012-06)
L’objectif de ce travail est d’étudier une méthode de caractérisation afin d’expliquer
le comportement des transistors HEMT de puissance basés sur une hétérostructure
AlGaN/GaN et d’identifier les différentes limites ...