Résumé:
Le transistor à effet de champ MOSFET (Metal Oxide Semiconducteur Field Effect
Tansistor), en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de
l’industrie semiconducteur. Sa miniaturisation permet d’améliorer les performances, la densité
d’intégration et le coût des circuits électroniques. L’enjeu pour ces transistors est de réduire
les effets parasites liés à la miniaturisation. Dans ce contexte, notre travail consiste à faire une
étude et une simulation d’une structure MOSFET dans ses différentes parties. La partie
confinement électrostatique et la partie transport vont être étudiées afin de tirer les modèles
physiques qui permettent de les gérer. Après, une simulation sous un environnement de calcul
numérique, va être faite à partir de la résolution des équations des modèles obtenus. A la fin,
une application du code développé sur des structures MOSFET SiO
2
/Si puis MOSFET
High-k /III-V afin d’extraire leurs comportements électriques.
