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dc.contributor.author |
SAIDANI MERIEM |
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dc.contributor.author |
BOUKENDAKDJI KHOULOUD |
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dc.date.accessioned |
2024-09-26T10:31:18Z |
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dc.date.available |
2024-09-26T10:31:18Z |
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dc.date.issued |
2024 |
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dc.identifier.uri |
https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/30570 |
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dc.description |
4.621.1.1299;60p |
fr_FR |
dc.description.abstract |
Ce travail porte sur l'étude et la simulation de la structure du puits quantique
InGaNAsSb/InP. Plus précisément, il s’agit d’évaluer l’influence de la combinaison
d’indium (In), l’azote (N)et de l’antimoine (Sb) sur la structure de bande et le gain
optique à l’aide du modèle d’anticroisement (BAC).
Dans un premier temps, nous déterminerons les propriétés physiques et
structurelles des matériaux III-V, pour en faire un alliage quinaire d’une structure de
puits quantique. L’incorporation de l’antimoine provoque l’éclatement de la bande de
valence en deux sous bandes. Il en ait de même pour l’incorporation d’azote qui
provoque un éclatement de la bande de conduction en deux sous bandes. L’avantage de
cet effet est qu’il réduit considérablement la bande interdite et permet de décaler la
longueur d’onde d’émission. Il sera possible d’atteindre un gain maximal de
5275 cm
-1
correspondant à une longueur d’onde d’émission λ=1.3 µm exploitable par
les fibres optiques pour les télécommunications. |
fr_FR |
dc.language.iso |
fr |
fr_FR |
dc.publisher |
blida1 |
fr_FR |
dc.subject |
Semiconducteurs; gain optique ; InGaNAsSb ; BAC |
fr_FR |
dc.title |
Etude et simulation d’une structure à puits quantique à base d’un quinaire pour les télécommunications |
fr_FR |
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