Université Blida 1

Simulation d’une cellule solaire  double jonction à base InGaN/Si  

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dc.contributor.author Lagrada , Ayoub
dc.contributor.author Ifrek   , Amine 
dc.date.accessioned 2025-06-12T10:36:22Z
dc.date.available 2025-06-12T10:36:22Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.uri https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/40005
dc.description 4.621.1.327 ; 98 p fr_FR
dc.description.abstract La cellule solaire convertit directement l’énergie lumineuse en énergie électrique par des cellules solaires. Selon les besoins, l’électricité produite peut être utilisée pour l’alimentation d’un site isolé ou revendue en tout ou partie au réseau de distribution. Ce travail consiste à étudier et simuler une cellule solaire double jonctions à base du matériau InGaN et silicium. Après avoir rappelé le principe de fonctionnement et les caractéristiques d’une cellule solaire, l’influence de la concentration d'indium et de l'épaisseur de la cellule du haut InGaN sur les caractéristiques de la cellule a été étudié. les résultats de simulation montrent que la concentration d’indium influe considérablement sur le rendement de la cellule, aussi un rendement optimal de 27% a été obtenu pour une concentration d’indium de 40% en cellule tandem, et un rendement de 29% pour une concentration d'indium de 40-50% en cellule cascade. fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher Blida1 fr_FR
dc.subject photovoltaïque, simulation, rendement. fr_FR
dc.title Simulation d’une cellule solaire  double jonction à base InGaN/Si   fr_FR


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