Effet des diélectriques de grille sur les performances d’un transistor à couche mince TFT a-IGZO à l'aide des outils TCAD-SILVACO

Abstract

L’oxyde d’indium gallium zinc amorphe(a_IGZO) est un oxyde semi-conducteur qui est de plus en plus utilisé dans la fabrication des transistors en couches minces (TFT) en raison de ses caractéristiques spécifiques, telles que la grande mobilité et la transparence. Dans ce travail, nous avons utilisé la simulation numérique à l’aide des outils TCAD de SILVACO afin d’étudier l’influence des différents diélectriques de grille (SIO2, AL2O3, SI3N4, HfO2) sur les performances électriques du transistor TFT.