Résumé:
Pour ce travail de mémoire nous avons fait une étude expérimentale de
caractérisation électrique des dispositifs MOSFETs, et cela afin d’extraire leurs
différents paramètres électriques. L’extraction des paramètres permet de
comprendre le comportement électrique des transistors, d’apercevoir leurs
mécanismes de fonctionnement sous l’application de différents champs électriques,
assimiler les processus physiques qui génèrent leurs régimes de fonctionnement et
évaluer en conséquence leurs performances. Les mesures que nous avons effectué
afin de réaliser cette étude sont les mesures courant-tension IDS(VGS) et IDS(VDS) pour
le nMOSFET et le pMOSFET, des deux technologies 1µm et 5µm et avec différentes
dimensions WG/LG (longueurs et largeurs)