Université Blida 1

Etude et Simulation des structure AlGaN/GaN pour les HEMTs.

Afficher la notice abrégée

dc.contributor.author Ouahib, Ismaël
dc.contributor.author Mensouri, Mesbah
dc.date.accessioned 2019-10-16T07:53:26Z
dc.date.available 2019-10-16T07:53:26Z
dc.date.issued 2012-06
dc.identifier.citation 4.621.1.047 ; 30cm fr_FR
dc.identifier.uri http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/901
dc.description.abstract L’objectif de ce travail est d’étudier une méthode de caractérisation afin d’expliquer le comportement des transistors HEMT de puissance basés sur une hétérostructure AlGaN/GaN et d’identifier les différentes limites liées à cette technologie. Ces transistors sont considérés ces dernières années comme des composants prometteurs pour les applications hyperfréquences qui nécessitent des tensions et des puissances élevées. Nous avons présenté les polarisations spontanée et piézoélectrique afin de simuler la densité de charge à l’interface d’une hétérostructure AlGaN/GaN ainsi que les caractéristiques courant-tension. L’influence des polarisations sur ces couches constituant l’hétérostructure à été étudiée créant une mobilité des électrons très élevée. Mots clés : HEMTs GaN; contact Schottky; 2DEG fr_FR
dc.language.iso fr fr_FR
dc.publisher Univ Blida1 fr_FR
dc.subject HEMTs fr_FR
dc.title Etude et Simulation des structure AlGaN/GaN pour les HEMTs. fr_FR


Fichier(s) constituant ce document

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée

Chercher dans le dépôt


Recherche avancée

Parcourir

Mon compte