Conception d’Amplificateur à Faible Bruit en Technologie CMOS à 2.4 GHz

Abstract

Le but de ce travail est la conception d'un LNA (Low Noise Amplifier) en technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon) 0.18μm pour les applications sans fil, nécessitant les différents paramètres de conception pour atteindre un compromis fourni une faible bruit NF, une faible consommation de puissance et un facteur de qualité élevé. La méthode d’analyse PCNO (optimisation de bruit sous contrainte de puissance) optée pour cette conception a permis d’atteindre cet objectif en réalisant un bon compromis entre ces performances du LNA: NF=1.7 dB, S 21 =15.3dB, S 11 =-16.3dB,S 12 =-35dB dB et S 22 =4.74dB