Résumé:
Aujourd’hui, les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sont devenus
incontournables dans la fabrication des composants électroniques. La connaissance de la
thermodynamique, les cinétiques de réaction, les caractéristiques d’écoulement et de transport
de masse aident à la miniaturisation des composants. L’objectif de cette thèse est la
modélisation des réacteurs de CVD à l’aide d’un code de calcul commercial. L’outil
mathématique a été utilisé pour traiter le dépôt de SiGe à partir d’un mélange de
dichlorosilane et de germane. Le modèle proposé est basé sur une pyrolyse des deux réactifs
dans l’enceinte réactionnelle et leur décomposition sur la surface de la plaquette. Une étude
aérodynamique et thermique du réacteur est effectuée avec une analyse de la distribution des
espèces chimiques et de la vitesse de dépôt. L’influence de la pression totale, de la
température et de la composition du mélange réactif à l’entrée du réacteur est présentée.
