Résumé:
Résumé : Ce travail porte sur l’étude par simulation d’une structure de diode laser à double
hétérojonction à base des matériaux GaAlAs/GaAs, en présentant son principe de
fonctionnement, les propriétés des matériaux qui la constituent, et ses innombrables
applications.
Au cours de ce travail, nous avons étudié l’influence de l’épaisseur de la couche active et la
concentration d’Aluminium dans les couches latérales sur la densité d’électrons injectés et le
facteur de confinement. La méthode utilisée dans les simulations est la méthode des
éléments finis. Les résultats de simulation montrent que la densité de courant seuil présente
une valeur optimale égale à 1,55 kA/cm
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pour une épaisseur de couche active égale à 0.04
µm.
Mots clés : laser à double hétérojonction ; émission stimulée, GaAs/GaAlAs ; éléments finis.