Elaboration et caractérisation des couches minces à base d’oxyde de  zinc (ZnO) pour des applications en optoélectronique

TOUHAMI, Mohamed Samy; MAHARI, Ali Bey

dc.contributor.author	TOUHAMI, Mohamed Samy
dc.contributor.author	MAHARI, Ali Bey
dc.date.accessioned	2019-11-12T09:46:12Z
dc.date.available	2019-11-12T09:46:12Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2669
dc.description	4.621.1.672 ;49 p illustré ;30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Résumé : des couches minces ZnO , ZnO-Ag, ZnO-Mg et ZnO- Ag-Mg ont été réalisées par évaporation thermique sous vide pour les applications dans le domaine de l’optoélectronique . Il a été trouvé que le ZnO se cristallise avec une structure hexagonale wurtzite après un recuit à 400°C, tandis que l’Ag montre des pics pour les deux couches ZnO-Ag et ZnOAg-Mg avec une direction préférentielle (111). Cependant à noter l’absence des pics AgO, Mg et MgO. On a aussi constaté que le facteur de transmission varie dans la gamme (74-88)% dans l'intervalle (300-800 nm), qui correspond au domaine visible. Ainsi qu’après le recuit toutes les couches prennent un comportement électrique (résistances) des semiconducteurs. Mots clés : couches minces, ZnO, ZnO-Ag, ZnO-Mg, ZnO-Ag-Mg, évaporation thermique, semi-conducteurs.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	U.Blida1	fr_FR
dc.subject	couches minces, ZnO, ZnO-Ag, ZnO-Mg, ZnO-Ag-Mg,	fr_FR
dc.title	Elaboration et caractérisation des couches minces à base d’oxyde de zinc (ZnO) pour des applications en optoélectronique	fr_FR