Fadene, Oussama Mohamed Hamza; Haya, Imed Eddine
(Univ Blida1, 2020)
A l'heure actuelle, les transistors à hétérostructures HEMT (High Electron Mobility Transistor)
à base de nitrure type AlGaN/GaN apparaissent comme les meilleurs candidats pour les
applications hyperfréquences, de ...