Résumé:
Ce travail porte sur la modélisation et la simulation de deux structures
ternaires à base de semi-conducteurs III-V a puits quantique contraint,In
N GaN
et In
Ga
As/InP pour des applications en télécommunications. Nous avons étudié
d’abord l’effet de l’incorporation d’une faible concentration d’indium sur les différents
paramètres de ces alliages ternaires. En effet, l’incorporation de l’indium provoque
un éclatement de la bande de valence en deux sous bandes ,sous l’effet de cet
éclatement, il y a réduction de la bande interdite, ce qui est très intéressant pour
l’obtention de la longueur d’onde 1.55µm (fenêtre pour fibre optique). Nous avons
également étudié l’effet de la contrainte sur la structure de bande. On a calculé la
longueur d’onde d’émission en fonction de la largeur du puits pour les deux structures
en prenant en considération l’influence de la contrainte et la concentration x (Indium).
Par la suite nous avons calculé le gain optique en fonction de la longueur d’onde en
variant la largeur du puits, la densité d’injection des porteurs et la concentration de
l’indium. Et à la fin on a atteint la longueur d’onde souhaitée pour les
télécommunications 1.55µm pour la structure In
. In
Ga
.In
As InP In
Ga
Ga
As InP
N GaN
Ga
As InP.
